Вот тут проблема, папа спросил как работает Флеш память, я было начал обьяснять о триггерах и замялся.
Принцип магнитных, лазерных носителей информации понятен, я инженер-электрик, но как память сохраняется при отсутсвии питания мне не ясно.
или во флешке микробатарея (но википедия не показала) или там используются конденсаторы как элементы хранения информации, или что то еще.
Буду благодарен за ответ.

18 Responses to Вот тут проблема, папа спросил как работает Флеш память, я было начал обьяснять о триггерах и замялся.

  1. RaeVelo:

    «плавающий затвор»

  2. Yihon:

    : да спасибо уже нашел, забавное дело — папе объяснил на принципе поляризованных реле, батя у меня тоже инженер-электрик. только в реле намагничивание, а в транзисторе — поляризация.
    транзистор с плавающим затвором прикольная штука.

  3. supef:

    : т.е. конденсатор внутри транзистора.

  4. Yihon:

    и что бы два раза не вставать — в чем принципиальное отличие полевых и биполярных транзисторов?
    именно почему существует такое разделение?
    ну все равно день нерабочий, бывают же такие вопросы, когда все понимаешь, но вот до конча что бы не просекаешь.
    по этому поводу анекдот:
    на заре коолективизма приехал в колхоз молодой механизатор и рассказывает как работает трактор:
    — вот это значит двигатель, тут сгорает топливо, это руль, это колеса … Все подробно и доходчиво обьяснил.
    Спрашивает — Вам все понятно? Вопросы есть?
    Мужик говорит — понятно все, но вопрос один — Куда лошадь запрягать?
    вот так и у меня примерно

  5. Yihon:

    : тоже именно так подумал, эх собраться бы да на маевочку 🙂
    приятно когда на одном языке говоришь

  6. RaeVelo:

    : полевой управляется полем а биполярный — током

  7. Odaam:

    : Я бы даже поставил вопрос так — а что между ними общего, кроме названия?

  8. Ef7No:

    : p-n переходы с асимметричной вольт-амперной характеристикой, вот общее. Насчет принципов работы флеш и изолированного затвора могу посоветовать простой эксперимент. Найдите любой современный n-MOSFET, например, на материнских платах около процессора их бывает в изобилии, такие квадратики с тремя ножками, от 5х5мм до 10х10мм. Выпаяйте и помойте растворителем, почти любым. Распиновка самая распространенная нынче, если держать транзистор ножками вниз и надписью к себе — затвор-сток-исток, слева направо. Лучше скачать в интернете даташит и удостовериться. Тыкаем тестером между ножками исток и сток, видим бесконечное сопротивление. Теперь берем батарейку 5-12В, минус соединяем с истоком, плюс с затвором. Достаточно легкого касания, потом можно батарейку убрать, но! Теперь главное не касаться затвора. Смотрим тесетром сопротивление исток-сток, видим замыкание, т.е. ноль. При этом затвор висит в воздухе, и пока заряд с него не стечет (а это даже у нашего транзистора, с неизолированным затвором, может занять несколько дней, в зависимости от загрязненности корпуса транзистора, влажности и ионизованности воздуха) сопротивление исток-сток будет близким к нулю, транзистор будет открыт. Транзистору можно помочь закрыться, всего лишь взявшись за него двумя пальцами, одним за исток, вторым за затвор. Достаточно доли секунды и проводимости человеческого тела. Я подобным образом мосфетики проверяю, полусевшей батарейкой а-ля-крона и языком, когда тестера нету поблизости.

  9. Letodin:

    : сейчас будет рвать рубашку и кричать какой он илитный гастарбайтер и знает всё о половых транзисторах. В частности, чем отличается коллектор от эректора.
    Я уже приготовил пафосометр. Чувствую — зашкалит.

  10. Odaam:

    : Да мне что перед тобой рубаху рвать? Мне за эти дела Интел деньги плотит? плотит! На колбаску хватает? хватает. так шо лучшее расслабимся )

  11. Odaam:

    : Я лучше на рабочем столе столе найду вафлю,на которой нацарапано «d-mode» Транзистор? Еще какой, положу на стенд и померю. Есть там переходы? а вот нихрена перехода ни разу нет : Сам растил, сам пилил — нэтути!
    И да, если хочете по-настоящему современный транзистор — а не кирпич из цепи питания — знаете какой там ток затвора будет?

  12. Ef7No:

    : d-mode это depletion-mode? Не представляю себе транзистор без p-n переходов вообще. Загрузите ссылкой для общего развития, пожалуйста. Про ток затвора не уверен, что понял. Если про ток утечки с изолированного затвора, то качество изоляции затвора можно оценить. Полагая, что флеш-память современная рассчитана на десятилетия, грубо миллиард секунд, а также емкость затвора порядка нанофарады, имеем эффективное сопротивление затвор-земля_схемы в миллион гигаом. Для меня это как световые года, трудно представить. Также не исключаю, что в современной флеш-памяти используется положительная обратная связь для обновления заряда затвора, когда флешка запитана. Я бы так и сделал.

  13. Odaam:

    : Ссылку в пост кинул.
    Про ток утечки — смотря какие транзисторы. Быстрые в процессорах — там тонкие диэлектрики и гигантские токи утечки. В смысле в логике ток утечки затвора может быть сравним с током в закрытом состоянии. Это что-то типа 1 ампера на квадратный сантиметр.
    Для транзисторов аналоговых схем требования другие, для флеша -еще другие, для силовых -опять еще раз другие.

  14. supef:

    : за какие «эти» дела вам Интел платит?

  15. Odaam:

    : за транзисторы за полевые.

  16. supef:

    : а именно за что? Какие задачи требуются и что сделано?

  17. UoaMsk:

    А теперь специально для дизайнеров объясни на пальцах.

Добавить комментарий

Ваш e-mail не будет опубликован.